आउटपुट वोल्टेज: 0.66～2.64(वी)
जी-मूल्य संवेदनशीलता: ≤0.02(°/s/g)
भंडारण तापमान: -45～+80(℃)
पूर्वाग्रह बहाव (10s सुचारू, स्थिर तापमान): ≤0.03 ((°/ h)
गतिशील सीमा: ±300 ((°) / एस
का भंडारण तापमान: -45～+80℃
चालू खपत Iop1: 900μA टाइप
तापमान Spt पर स्केल कारक भिन्नता: ±3%
शून्य-पूर्वाग्रह स्थिरता: ≤0.5allan विचलन(डिग्री/घंटा)
शक्ति का अपव्यय: ≤1(डब्ल्यू @5वी डीसी)
रेंज: ±250 ((°/s)
विफलताओं के बीच की अवधि: 100khour(MTBF)
सहनशील त्वरण: 20000(ग्राम)
बैंडविड्थ: ≤100(हर्ट्ज)
संचालन तापमान: -40～+70℃
स्केल फैक्टर दोहराव योग्यता: ≤10 पीपीएम
पूर्वाग्रह दोहराव: ≤0.15(゜/s)
क्रॉस युग्मन: ≤1(°/s)
जी-संवेदनशीलता: 0.1°/सेकंड/ग्राम
आउटपुट आवृत्ति: 100hz@230400 बॉड दर
वोल्टेज आपूर्ति: +5 (वी)
गतिशील सीमा: ±500 (°/ सेकण्ड)
रैंडम वॉक गुणांक: ≤0.005(º/h1/2)
पूर्वाग्रह बहाव (10s सुचारू, स्थिर तापमान): ≤0.03(°) / घंटा
स्केल फैक्टर दोहराव योग्यता: ≤10 (पीपीएम)
आयाम: 70×70×32 (मिमी)
स्थिर-अवस्था विद्युत खपत (पूर्ण तापमान): <4 (डब्ल्यू)
आयाम: 70×70×32 (मिमी)
स्केल फैक्टर दोहराव योग्यता: ≤10 (पीपीएम)
गतिशील सीमा: ±500 (°) / सेकंड
गतिशील सीमा: ±500 (°/सेकेंड)
पूर्वाग्रह दोहराव: ≤0.03 (°/h)
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